國內(nèi)首臺(tái)適用于65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的12英寸單片晶圓清洗設(shè)備Ultra C日前在上海工博會(huì)首次亮相，從而填補(bǔ)了國內(nèi)半導(dǎo)體單片晶圓清洗設(shè)備制造的空白。

    這臺(tái)清洗設(shè)備是由落戶上海張江高科技園區(qū)的盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司，按照國際一流技術(shù)水平設(shè)計(jì)制造的，其系統(tǒng)框架、核心部件和關(guān)鍵工藝均已申請(qǐng)全球?qū)＠Ｗo(hù)，具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

    據(jù)介紹，Ultra C可以應(yīng)用于65納米半導(dǎo)體制造工藝的前端和后端的清潔工藝，主要用于去除晶圓表面的微粒、光阻材料和氧化物。用戶可以根據(jù)自己需求定義從0％到90％的化學(xué)清洗液回收率，從而降低化學(xué)消耗品成本，并減少化學(xué)污染品的產(chǎn)生。此外，Ultra C還提供了一種高溫剝離光阻材料的解決方案。

    相比較傳統(tǒng)的批式清洗設(shè)備，Ultra C可以降低清洗過程中的交叉污染，提高成品率。同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更好的工藝過程控制，改善單個(gè)晶圓以及晶圓間的均一性，提高產(chǎn)品優(yōu)良率。

    盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司董事長王暉博士說，預(yù)計(jì)明年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備的市場規(guī)模將達(dá)２０億美元，盛美將從明年起實(shí)現(xiàn)Ultra C的市場化。